隨著杭州半導體廢水處理工藝技術的敏捷開展和消費量的增添，半導體廠排出的含氟廢水量急劇地增添，廢水中含復合離子的品種也增多，各工序須要解決的廢水各不雷同，其中侵蝕基片的廢水是混雜酸，它被排出的量多。為了避免這些廢水對環境生態的凈化和損壞必 須設法下降廢水中的含氟濃度。

有機溶劑雖大局部被回收，但仍有一局部混在廢水之中。侵蝕基片的廢水含氟濃度高，侵蝕后的基片進行清洗時所發生的廢水含氟濃度低。因而，可告別對含氟濃度高的和濃度低的廢水進行解決，或將它們混雜在一起進行解決。

杭州半導體廢水處理工藝技術的長處：

1、遭受沖擊載荷的才能強，接觸氧化法的均勻停留時光超越6小時。

2、半導體廢水解決具備除氮除磷才能，并可調劑裝備構造，實現工業廢水，生涯廢水，城市廢水解決才能。

3、接觸氧化池中的填料多為軟質填料，分量輕，強度高，物理化學性質穩固，比外表積大，生物膜附著力強，污水接觸效力高和生物膜。

4、在接觸氧化槽中，采取曝氣機進行鼓風曝氣，使纖維束延續浮動，曝氣均勻，微生物成長成熟，得到活性污泥法的特征。

5、出水水質穩固，污泥產量小，易于解決。

6、潛水泵可裝置在裝備中，以增添工程投資。

7、半導體廢水解決能夠位于空中上或埋在公開。埋在公開時，上蓋可用于綠化，動物面積小，空中構造小。

8、易于實現主動掌握，治理和操作簡樸。

9、半導體廢水解決能夠銜接到汽車，使挪動裝備。