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ICP-OES 分析高純度銦 (In)、鎵(Ga) 中的雜質(zhì)

閱讀：1097 發(fā)布時(shí)間：2020-05-21

高純度精煉的鎵(Ga)是半導(dǎo)體化合物砷化鎵的主要原料，可用作高溫溫度計(jì)的填充物、溫度標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)及熔點(diǎn)較低的合金材料，是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)*的元素之一，隨著高純度鎵的需求增大，對(duì)雜質(zhì)含量的檢驗(yàn)成為*的環(huán)節(jié)。本文建立了利用ICP-OES分析高純度銦 (In)、鎵(Ga) 中的雜質(zhì)的解決辦法。

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ICP-OES 分析高純度銦 (In)、鎵(Ga) 中的雜質(zhì)

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