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霍爾效應(yīng)是一種電磁感應(yīng)現(xiàn)象，當(dāng)電流垂直于外磁場(chǎng)通過半導(dǎo)體時(shí)，載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，垂直于電流和磁場(chǎng)的方向會(huì)產(chǎn)生一附加電場(chǎng)，霍爾效應(yīng)測(cè)試中我們一般測(cè)試霍爾電壓VH、電阻...

普賽斯多表合一數(shù)字源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性價(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持；普賽斯儀表是手家國產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善，對(duì)標(biāo)2400、...

普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，先后推出了直流源表，脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)、大功率激...

MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管 等材料制作，是材料及器件研究的熱點(diǎn)。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、...

國產(chǎn)源表哪家好,認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,高新企業(yè)，普賽斯全新升級(jí)S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實(shí)驗(yàn)比備源表,標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,上位機(jī)軟件功能豐富,半導(dǎo)體測(cè)試...

大電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)動(dòng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試可測(cè)量不同電流傳感器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，具有大電流特性、極快的達(dá)到50A/us級(jí)上升沿、可測(cè)量KHz級(jí)帶寬等特點(diǎn)，能實(shí)現(xiàn)零點(diǎn)漂移...

IGBT靜態(tài)參數(shù)主要包含:柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發(fā)射極漏電流lGEs、集電極-發(fā)射極截止電流lcEs、集電極-發(fā)射極飽和電壓VcE(sat)...

普賽斯全新升級(jí)S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實(shí)驗(yàn)比備源表,標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,上位機(jī)軟件功能豐富,直流3A高精密電流源半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的經(jīng)典產(chǎn)品!

CP系列GaNGaAs高速器件IV測(cè)試脈沖恒壓源是武漢普賽斯儀表推出的窄脈寬、高精度、寬量程插卡式脈沖恒壓源。設(shè)備支持窄脈沖電壓輸出，并同步完成輸出電壓及電流測(cè)...

普賽斯半導(dǎo)體功率器件分析儀集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參...

普賽斯儀表推出的IGBT耐壓測(cè)試高壓源10ms級(jí)的上升沿和下降沿；單臺(tái)最大3500V的輸出；同步電流測(cè)量；

普賽斯全新升級(jí)S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實(shí)驗(yàn)比備源表,標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,上位機(jī)軟件功能豐富,半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的經(jīng)典產(chǎn)品！國產(chǎn)新一代S300B數(shù)字源...

普賽斯儀表推出的IGBT擊穿電壓測(cè)試高壓源10ms級(jí)的上升沿和下降沿；單臺(tái)最大3500V的輸出；同步電流測(cè)量；

HCPL100型脈沖大電流源具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15uS）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

功率半導(dǎo)體可靠性測(cè)試數(shù)據(jù)采集卡使用高性能ADC芯片，分辨率可達(dá)16bits，最高支持2MS/s采樣率。單采集卡支持4通道，且通道間隔離。采集卡可應(yīng)用于我司3插卡...

實(shí)施電性能參數(shù)表征分析的工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表作為獨(dú)立的電壓源或電流源，可輸出恒壓、恒流、或者脈沖信號(hào)，還可以當(dāng)作表，進(jìn)行電壓或者電流測(cè)量；支持...

太陽能電池在使用前我們需要對(duì)它的一些性能參數(shù)做一個(gè)測(cè)試了解。對(duì)于太陽能電池片的測(cè)試，我們一般測(cè)試電池的開路電壓VOC、短路電流ISC、最大功率Pmax、填充因子...

通常，氣體傳感器 I-V 特性測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而，由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過程既復(fù)雜又...

普賽斯MOSFET|BJT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試平臺(tái)集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、納安級(jí)...

霍爾電流傳感器測(cè)直流電流平臺(tái)可測(cè)量不同電流傳感器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，具有大電流特性、極快的達(dá)到50A/us級(jí)上升沿、可測(cè)量KHz級(jí)帶寬等特點(diǎn)，能實(shí)現(xiàn)零點(diǎn)漂移、線性...