HT-M72-N15NO-DC10-30V接近開關以在不與目標物實際接觸的情況下檢測靠近傳感器的金屬目標物。即使在有水或油噴濺的苛刻環境中也能穩定檢測。由頻振蕩、檢波、放大、觸發及輸出電路等組成。振蕩器在傳感器檢測面產生一個交變電磁場，當金屬物體接近傳感器檢測面時，金屬中產生的渦流吸收了振蕩器的能量，使振蕩減弱以至停振。振蕩器的振蕩及停振這二種狀態，轉換為電信號通過整形放大轉換成二進制的開關信號，經功率放大后輸出。

 接近開關HT-M72-N15NO它也有一個振蕩電路，電路中因感應電流在目標物內流動引起的能量損失影響到振蕩頻率。目標物接近傳感器時，不論目標物金屬種類如何，振蕩頻率都會提。傳感器檢測到這個變化并輸出檢測信號。

霍爾接近開關HT-M72-N15NO是霍爾元件與電子線路一體化的產品，它是由霍爾元件、放大器、溫度補償電路和穩壓電路利用集成電路工藝技術制成的。它能感知一切與磁有關的物理量，又能輸出相關的電控信息，所以霍爾集成電路既是一種集成電路，又是一種磁敏傳感器。

產品特點：
1、 響應頻率
2、重復定位精度
3、 輸出波形純凈、性能穩定
4、帶工作狀態指示
5、穩定、可以在油污、粉塵、振動和溫差大的惡劣環境中可靠工作
6、 可以設置多重保護功能：反向極性保護，浪涌電壓保護和過熱保
7、 多種工作模式：常開、常閉、自鎖、NPN輸出、PNP輸出
電路的原理 
  當將一塊通電的半導體薄片垂直置于磁場中時，薄片兩側由此會產生電位差，此現象稱為霍爾效應。此電位差稱為霍爾電勢，電勢的大小E=KIB/d，式中K是霍爾系數，d為薄片的厚度，I為電流，B為磁感應強度。圖1示出霍爾效應的原理：在三維空間內，霍爾半導體平板在XOY平面內，它與磁場方向垂直，磁場指向Y軸的方向，沿X軸方向通以電流I，由于運動的電荷與磁場的相互作用，結果在Z軸方向上產生了霍爾電勢E，一般其值可達幾十毫伏。為此，將霍爾元件與電子線路集成在一塊約2mm*2mm的硅基片上，就做成了溫度穩定性好、可靠性的霍爾集成電路。 
電路結構分析 
  霍爾集成電路按輸出方式可分為線性型和開關型，若按集成電路內部的有源器件可分為雙極型和MOS型。圖2、圖3分別示出了一種雙極型霍爾集成電路內部的原理結構和邏輯結構，圖2為開關型的，圖3為線性型的。 
    在圖2中IC內通過霍爾元件H的磁性檢測反映為低電平的輸出。V1、V2組成差分放大器，它將霍爾電勢放大，其放大倍數約幾十倍；V3、V4組成施密特觸發器，它將放大的霍爾電勢整形為矩形脈沖；V5、V6進一步對矩形脈沖緩沖放大；V7、V8為開路集電極輸出管。圖2a中有兩個輸出端，這里之所以采用集電極開路輸出結構，是因為它可以有較大的負載能力，且易于與不同類型的電路接口，但亦有部分霍爾集成電路采用發射極開路輸出形式