采用了四探針雙電測(cè)組合(亦稱雙位組合)測(cè)量新，,將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。因而每次測(cè)量不，知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測(cè)量都是對(duì)幾何因素的影響進(jìn)行動(dòng)態(tài)的自動(dòng)修正，因此顯著降低了幾何因素影響，從而提高了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度。，這些，用目前大量使用的常規(guī)四探針測(cè)量方法所生產(chǎn)的儀器是無法實(shí)現(xiàn)的。
采用了四探針雙位組合測(cè)量新，，將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上，利用電流探針電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測(cè)量，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和 機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，然后以表格圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果；
，參數(shù)：
適用晶片尺寸：2"～12"(配套探針臺(tái))；
測(cè)量范圍 - 電阻率：10-5～105 Ω·cm(可擴(kuò)展)
方塊電阻：10-4～106Ω/□(可擴(kuò)展)
電導(dǎo)率：10-5～105s/cm；
電阻：10-5～105Ω；
可測(cè)晶片厚度：≤3.00mm
恒流源：電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，%檔電流連續(xù)可調(diào)；
采用了四探針雙電測(cè)組合(亦稱雙位組合)測(cè)量新，,將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。因而每次測(cè)量不，知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測(cè)量都是對(duì)幾何因素的影響進(jìn)行動(dòng)態(tài)的自動(dòng)修正，因此顯著降低了幾何因素影響，從而提高了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度。，這些，用目前大量使用的常規(guī)四探針測(cè)量方法所生產(chǎn)的儀器是無法實(shí)現(xiàn)的。
采用了四探針雙位組合測(cè)量新，，將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上，利用電流探針電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測(cè)量，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和 機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，然后以表格圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果；
，參數(shù)：
適用晶片尺寸：2"～12"(配套探針臺(tái))；
測(cè)量范圍 - 電阻率：10-5～105 Ω·cm(可擴(kuò)展)
方塊電阻：10-4～106Ω/□(可擴(kuò)展)
電導(dǎo)率：10-5～105s/cm；
電阻：10-5～105Ω；
可測(cè)晶片厚度：≤3.00mm
恒流源：電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，%檔電流連續(xù)可調(diào)；
