HBM和3DS一樣，都是一種立體空間內(nèi)存，這個是他們和傳統(tǒng)內(nèi)存的zui大區(qū)別，傳統(tǒng)內(nèi)存都是平面的，是把內(nèi)存顆粒平鋪開來。而且由于工藝等等的限制，平面DDR5想再提高頻率已經(jīng)比較難了。平面內(nèi)存想獲得更大的存儲空間，就需要更大的面積，這對有限的空間也是一種挑戰(zhàn)。

首先說下3DS吧，3DS內(nèi)存它是把各個存儲層堆疊起來，就像蓋樓一樣，層和層之間會有金屬層等間隔，同時通過TSV聯(lián)通各個存儲單元。TSV（硅通孔）是內(nèi)存能夠堆疊的關(guān)鍵，它能夠在各個存儲層之間以及層內(nèi)構(gòu)件出硅通孔的通路，存儲單元的互聯(lián)就通過這些通孔完成。在堆疊上，現(xiàn)在一般只有2，4,8三種數(shù)量的堆疊，立體上zui多堆疊4層，8堆疊是有兩列4堆疊構(gòu)成。每列堆疊都是由master rank和slave rank構(gòu)成，master rank會和內(nèi)存控制器相連接，而slave rank只和master rank 互聯(lián)。所有的放大器和一些外部電路也只存在于master rank 中，這樣就省下了很多開銷以及功耗。由于TSV是空間立體的，數(shù)據(jù)通路更短，各個數(shù)據(jù)到達各個存儲單元的latency也會降低。總的來說，3DS內(nèi)存帶來的是高帶寬、低開銷、低latency、大容量、低功耗（相對同容量的平面內(nèi)存）。但是現(xiàn)在3DS內(nèi)存技術(shù)上還有難題，難以量產(chǎn)，成本也偏高。但現(xiàn)在主流的內(nèi)存控制器一般都支持3DS內(nèi)存，3DS內(nèi)存是以后內(nèi)存的發(fā)展趨向。

在顯卡上，內(nèi)部把內(nèi)存堆疊，用TSV通孔，但是不是3DS那種空間交錯式的。堆疊好的內(nèi)存布局在一個底層DIE上，圖形處理芯片和這個die相連，zui后把這些封裝到一塊整體芯片內(nèi)。所以使用HBM內(nèi)存作為顯存的顯卡比使用傳統(tǒng)平面內(nèi)存作為顯存的顯卡要小很多。HBM是一種2.5封裝的內(nèi)存，它采取了折中的方案，帶來的好處不如3DS多，也有瓶頸，但重要的是能量產(chǎn)。歐戟工業(yè)控制設(shè)備（上海）有限公司是國內(nèi)的備件服務(wù)供應(yīng)商。迄今為止，公司已經(jīng)為超過500家來自汽車，鋼鐵，化工，食品，冶金，能源等各行業(yè)的客戶提供過備件采購服務(wù)。公司總部位于德國法蘭克福，可以直接與德國，意大利，法國，瑞士等千余家歐盟廠家進行快捷的溝通，合作。...