伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取高反射吸收Ta₂O₅薄膜

為了獲取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射沉積技術(shù)鍍制 Ta₂O₅ 薄膜進(jìn)行研究.

其系統(tǒng)工作示意圖如下：

該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片臺(tái)等部分組成.

其中雙離子源中的一個(gè)離子源適用于濺射靶材, 另個(gè)離子源是用于基材的預(yù)清洗.

用于濺射的離子源采用伯東的 KRI 聚焦型射頻離子源 380, 其參數(shù)如下:

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：

推薦理由：

聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

用于預(yù)清洗的離子源是采用伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000

KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000 技術(shù)參數(shù):

其濺射室需要沉積前本底真空抽到 1×10^-5Pa, 經(jīng)推薦采用伯東分子泵組  Hicube 80 Pro, 其技術(shù)參數(shù)如下：

運(yùn)行結(jié)果：

伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)可以制備不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta₂O₅ 薄膜.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口品牌的代理商.