摘要 用于紅外儀器和傳感應用的大面積高靈敏度光電二極管。800 nm至1700 nm范圍內的高光譜響應。高分流電阻允許對低光信號具有高靈敏度。感光區域的直徑為5毫米。平面鈍化器件結構。波長范圍:800-1700nm 光敏面:5mm封裝方式: TO8

摘要 擴展型InGaAs光電二極管IG22系列是一種全色PIN光電二極管，截止波長為2.2µm。該系列專為苛刻的光譜和輻射應用而設計。它提供了出色的分流電阻，并在很寬的光譜范圍內具有優異的響應性。波長范圍:0.52-2.2µm封裝方式：TO,芯片

摘要 擴展型InGaAs光電二極管IG26系列是一種全色PIN光電二極管，截止波長為2.6µm。該系列專為苛刻的光譜和輻射應用而設計。它提供了出色的分流電阻，并在很寬的光譜范圍內具有優異的響應性。波長范圍:0.52-2.6µm封裝方式：TO,芯片

摘要 低噪聲200µm InGaAs雪崩光電二極管APD(04)的波長響應范圍950-1650nm,噪聲的典型值低于1nA，增益達到M = 10 – 20。適用于激光測距，激光雷達等應用。產品型號：AIn-200-04-M10-TO46

摘要200µm InGaAs雪崩光電二極管APD(05)采用TO46封裝，具有非常高線性，高功率信號的處理能力，波長響應范圍1000-1630nm,噪聲的典型值8nA，增益達到M = 10 – 20。適用于激光測距，激光雷達等應用。產品型號：AIn-200-0...

摘要描述8485D 二極管功率傳感器能夠測量 50 MHz ～ 26.5 GHz 頻率范圍內和 -70 ～ -20 dBm 功率范圍內（50 dB 動態范圍）的平均功率。Keysight 11708A 30 dB 衰減器配備了序列前綴為“D”的 8480 系列功率探頭，可...

摘要描述8487D 二極管功率傳感器能夠測量 50 MHz ～ 50 GHz 頻率范圍內和 -70 ～ -20 dBm 功率范圍內（50 dB 動態范圍）的平均功率。Keysight 11708A 30 dB 衰減器配備了序列前綴為“D”的 8480 系列功率探頭，可使用...

摘要 Orbis TimeSaver帶二極管安裝底座Orbis TimeSaver帶二極管安裝底座由美盛科技中國有限公司供應TimeSaver帶二極管安裝底座和標準的TimeSaver底座一樣，只是多了一個二極管。它用于系統中在探頭拆除時可以屏蔽對終端電阻的監視。

摘要 OptoDiode濾光片光電二極管有效面積是100mm2，檢測范圍是1-80nm。集成薄膜濾光片的光電二極管采用薄膜沉積工藝，用于檢測太陽EUV輻射、軟X射線輻射測量、X射線和EUV光刻、X射線顯微鏡和XUV光譜

摘要 Opto Diode生產的紅外發射器，用于各種醫療和工業領域，包括氣體分析、環境監測、光譜學和過程控制。有穩態，黑體輻射脈沖光源

摘要 Opto Diode生產五個系列的紅外發射器，從穩態 （直流電） 發射器（SA 系列）到大功率穩態發射器（SHA 系列），再到黑體輻射脈沖光源（SVF 系列）和黑體輻射快速脈沖光源（SPF 系列），到帶有集成驅動電子元件的高速紅外發射器（PIREPLUS）

摘要Opto Diode紅藍增強型探測器波長范圍在400-740nm之間，也可以稱之為400-740nm光電探測器。可見光增強型探測器波長為450nm時靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。Opto Diode光電二極管波長為632nm時最小值是0.35A/...

摘要 該儀器是專為整流二極管測試伏安特性而研制的專用檢測設備，適用于流水線上大批量測試器件是否合格。線路設計采用單片機控制，數字顯示，最小峰值漏電流可顯示1μA。具有體積小、重量輕、操作簡單、測試準確、保護可靠、維修方便，價格低廉等特點。

摘要 SIM922A和SIM923A 二極管和鉑RTD監視器

摘要 SIM922 二極管和鉑RTD監視器

摘要 旁路二極管測試儀FT4310

摘要 RSNRPxxS/SN三通道二極管功率探頭主要特點每秒觸發10,000次測量超過50,000次讀數/秒即便在低電平條件下也具有的測量速度和精確度適合通用應用可拆卸電纜，便于靈活操作簡介RSNRP8S三通道二極管功率探頭經過充分修正，是一款整裝式儀器

摘要 Noisecom的噪聲二極管是所有噪聲系統的最基本單元。他們是手工挑選的性能特點，使他們非常適合寬帶噪聲和平坦響應。

摘要 R&S®NRPxxS/SN 三通道二極管功率探頭

摘要 品牌 JJM捷捷微品類 TVS二極管封裝 SMB電子標準 工業級批號 2022脈沖峰值功率PPP 600 W

摘要 品類 TVS二極管封裝 SMA批號 2022安裝類型 貼片最小包裝 3000 pcs數量 30000 pcs

摘要 品類 TVS二極管封裝 SMA批號 2022脈沖峰值功率PPP 400 W反向漏電流IR 1 uA安裝類型 貼片

摘要 品類 TVS二極管 封裝 SMB電子標準 車規批號 2022反向漏電流IR 1 uA安裝類型 貼片

摘要Agilent8487D二極管功率傳感器8487D二極管功率傳感器The8487Ddiodepowersensormeasuresaveragepoweroverthefrequencyrange50MHzto50GHzandpowerrange-70to-20dBm...

摘要 【商品簡介】特點為復合成分的測量提供精確的信號固態——低維護量光纖探頭——遠距離傳輸觸摸屏顯示器和人機界面轉動鍵盤適用于特殊用途4-20mA輸出Modbus以太網TCPIP協議輸出波長范圍廣

摘要 簡要描述： 正向二極管浪涌電流是指電源線接通瞬間或是在電路出現異常情況下產生的遠大于穩態電流的峰值電流或過載電流。PRM7626T-500型浪涌電流滿足JB/T7626-2013中的標準要求。

摘要 ●FT4310-01能夠在日照下輕松的檢測開路/短路故障※1●在接線盒的電池串中進行簡單檢查※2●1次檢查完成所有測量※3●對應PC測量的USB通訊功能（需要選件）※1也能在夜晚進行檢查

摘要 訂貨信息島津SPD-M10Avp二極管陣列檢測池No

摘要產品 ID： 11930 ...

摘要產品 ID： 11929 ...

摘要集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源，具有非常低的漂移和高的動態范圍。非常適合于輻射測量，光譜分析以及醫學診斷。集成運放的Si光電二極管的芯片尺寸7 mm2,光譜響應范圍位于400-1100nm.品牌:德國IFW 型號: JI 576 / 57...

摘要集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源，具有非常低的漂移和高的動態范圍。該款Si硅光電二極管頂部配有聚光透鏡，具有更大范圍的響應。非常適合于輻射測量，光譜分析以及醫學診斷。集成運放的Si光電二極管的芯片尺寸4.8 mm2,光譜響應范圍位于400-...

摘要集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源，具有非常低的漂移和高的動態范圍。非常適合于輻射測量，光譜分析以及醫學診斷。集成運放的Si光電二極管的芯片尺寸4.8 mm2,光譜響應范圍位于400-1100nm.品牌:德國IFW 型號: JI 546 / ...

摘要集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源，具有非常低的漂移和高的動態范圍。該款Si硅光電二極管超低功耗，頂部配有聚光透鏡，具有更大范圍的響應。超非常適合于輻射測量，光譜分析以及醫學診斷。集成運放的Si光電二極管的芯片尺寸4.8 mm2,光譜響應范圍...

摘要SiC可以承受高強度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。定制款IFW的SiC探測器可以在溫度高達250°C的環境下長期工作。UVC的紫外波段位于225-280nm.通過特定的濾光片，...

摘要SiC可以承受高強度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達250°C的環境下長期工作。UV-ABC的紫外波段位于210-355nm. 芯片尺寸0.25mm2....

摘要SiC可以承受高強度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達250°C的環境下長期工作。UV-ABC的紫外波段位于215-355nm.芯片尺寸2mm2.品牌:德...

摘要SiC可以承受高強度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達150°C的環境下長期工作。UVA的紫外波段位于318-395nm，300-400nm或者350-4...

摘要SiC可以承受高強度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達250°C的環境下長期工作。UVA的紫外波段位于318-360nm.芯片尺寸1mm2.品牌:德國IF...

摘要SiC可以承受高強度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達250°C的環境下長期工作。UVB的紫外波段位于265-322nm.芯片尺寸1mm2.此外，可以根據...

摘要SiC可以承受高強度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達150°C的環境下長期工作。UVB的紫外波段位于265-322nm.芯片尺寸0.1 mm2.此外，可...

摘要SiC可以承受高強度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達250°C的環境下長期工作。UV-ABC的紫外波段位于210-355nm.芯片尺寸0.1 mm2.品...

摘要SiC可以承受高強度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達250°C的環境下長期工作。UV-ABC的紫外波段位于215-360nm.該型號帶聚光透鏡，非常適合...

摘要SiC可以承受高強度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達250°C的環境下長期工作。UV-ABC的紫外波段位于220-390nm.芯片尺寸0.1 mm2.品...

摘要SiC可以承受高強度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達250°C的環境下長期工作。UVC的紫外波段位于225-280nm.通過特定的濾光片，紫外波段可以延...