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武漢普賽斯儀表有限公司
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IGBT產品可分為哪些？細數IGBT性能指標及相關應對測試方案2025/07/17
IGBT產品，按照封裝形式和集成程度的不同，可分為IGBT裸片、IGBT單管、IGBT模塊以及IPM/PIM模塊。其中，IGBT模塊主要構成為，芯片（包含IGBT芯片和Diode芯片），散熱基板、DBC基板，焊料層，鍵合引線等。在IGBT模塊封裝過程中，主要工藝有焊接，鍵合，注膠與固化，測試等。普賽斯儀表推出的HCPL100大電流脈沖源，E系列高電壓源，數據采集卡等產品，也主要是針對IGBT模塊封裝過程中動靜態測試，以及可靠性測試中使用。1.IGBT測試IGBT規格參數IGBT產品技術參數較多，
功率半導體器件IGBT測試難點及常見測試指標有哪些？2025/07/04
新能源汽車受800V驅動，以主逆變為代表的SiC滲透全面提速，貢獻最大下游市場并帶動充電樁、光儲及UPS市場逐步增長。碳化硅器件當前以電壓等級600-1700V，功率等級10kW-1MW的硅基IGBT為主要替代對象.以下五類細分應用成為當前及未來的核心潛力領域:800V架構帶來的直接性能提升，疊加供給端、應用端、成本端多重利好，推動新能源汽車成為SiC未來5年核心應用陣地。IGBT功率半導體器件測試難點IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半
高電壓大電流igbt靜態參數測試系統解決方案2025/06/10
為應對各行各業對IGBT的測試需求，武漢普賽斯正向設計、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態參數測試系統，可提供IV、CV、跨導等豐富功能的綜合測試，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態參數表征和測試需求。系統采用模塊化集成的設計結構，為用戶后續靈活添加或升級測量模塊提供了極大便捷和優性價比，提高測試效率以及產線UPH。IGBT靜態參數測試系統支持交互
國產數字源表搭建鈣鈦礦電池片IV測試系統方案2025/03/12
作為新一代太陽能電池，鈣鈦礦太陽能電池在光伏領域展現出巨大的潛力。目前，鈣鈦礦電池正處在從實驗室走向產業化的初期，由于其材料特性的影響，產業化I-V測試面臨著巨大的挑戰，傳統的測試方案存在明顯局限。測試難點：●性能表征階段，納安級電流如何精準測量？●開路電壓測量時，如何避免傳統二線制測量模式帶來的附加誤差？●批量驗證階段，測試效率如何提升？●常規測試設備軟件功能單一，測試項如何全面覆蓋？基于數字源表(SMU)的鈣鈦礦太陽能電池I-V測試解決方案J致簡化測試提高測試效率單通道I-V測試/多通道輪詢
如有用SMU數字源表搭建霍爾效應測試系統測半導體材料2025/03/05
霍爾效應測試霍爾效應是一種電磁感應現象，當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發生偏轉，垂直于電流和磁場的方向會產生一附加電場，如下圖所示。霍爾效應測試中我們一般測試霍爾電壓VH、電阻率ρ、霍爾系數RH、載流子濃度n、霍爾遷移率μH等參數。霍爾效應霍爾電壓首先我們測試霍爾電壓VH，按下圖連接方式連接電路，施加一個垂直樣品平面的磁場B，然后點擊設置——輸出設置，將源表調為4線前面板輸出模式，再返回主界面點擊測量，將源表設置為電流源模式，設置源限值，點擊“OUTPUT”，向1至3方向輸入電流，測試2
細數數字源表在光伏行業的應用2025/03/04
一、太陽能電池測試常見測試項:開路電壓(Voc)、短路電流(ISC)、峰值功率(Pmax)、峰值電壓(Vmax)、峰值電流(Imax)、填充因子(FF)、轉換效率(n)。二、常見測試需求及方案:1、光伏組件IV測試:1.1單通道測試:S源表+太陽光模擬器+測試樣品臺+IV測試軟件1.2通道輪詢測試:S源表+LED多通道光源+測試夾具+通道切換器+IV測試軟件2、量子效率測試(光譜響應度、外量子效率、內量子效率、發射率/透射率、短路電流密度):產品方案:PXXB系列源表+光源系統+光柵掃描單色儀+
SMU數字源表搭建晶圓級微電子材料器件測試系統2024/12/24
在半導體材料和器件的研究中，電性能測試是不可少的環節。隨著半導體技術的提升，微電子工藝逐漸復雜，如何對微電子材料器件進行高效率測試成為業內關注的重點。普賽斯儀表陸續推出多型號國產化數字源表SMU，為進一步打通測試融合壁壘，打造閉環解決方案，通過對半導體搞端測試裝備上下游產業鏈的垂直整合，晶圓級微電子材料器件測試系統應運而生!普賽斯數字源表SMU是整個測試系統的核心部分，用戶可以根據材料器件不同的電流、電壓，配置不同規格參數的源表和探針臺。更高效:靈活測試：體積小巧，節省實驗臺空間接線簡單，無需繁
數字源表選購技巧2024/12/18
數字源表也稱為源測量單元(SMU),集數字萬用表、電壓源、電流源、電子負載以及脈沖發生器、波形發生器等功能于一體，同時可精確限流保護器件不受損壞。在功率半導體測試，光電子器件研究、晶體管檢定等方面被廣泛應用，可以簡化測試系統，提高測試效率，不知道怎么選擇SMU?不妨來“挖一挖”。在選擇源表時，需要先確認待測DUT的電流電壓最大范圍，以此為參照來選擇源的輸出范圍,這個輸出范圍是指源表對外輸出恒定電壓電流的功能范圍，這里需要注意，由于源表有總功率的限制，其輸出不能同時達到電流輸出和電壓輸出的最大值。
SiC GaN三代半功率器件測試挑戰及應對測試方案2024/11/21
功率半導體應用現狀隨著新能源汽車800V高壓快充技術的興起，SiC憑借其高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率以及高鍵合能等一系列顯著優勢，成為功率半導體產業競相追逐的“風口”。在實際應用中，搭載碳化硅功率器件的高壓系統通常能夠在短短十多分鐘內將電池電量從10%快速充至80%。然而，SiC功率器件在運行時會承受復雜的電-磁-熱-機械應力，其電壓電流能力的提升，開關速度和功率密度的提升，對器件的性能和可靠性提出了更高的要求。功率半導體器件在使用過程中可能會因為多重因素導致失效，而這些不同因素所引
SMU源表與探針臺連接示意圖及注意事項有哪些？2024/10/30
1、前言在半導體和集成電路工藝中，材料、晶圓、芯片的測試是不可少的環節。隨著半導體測試技術的發展，數字源表SMU結合探針臺的系統組合已經被廣泛應用于材料/微小器件的電學特性驗證中。數字源表SMU具備源測功能，可以產生電流-電壓(I-V)特性曲線，是半導體材料、器件電性能表征測量的核心；探針臺有手動、半自動和全自動三種，根據測試需要選擇配套的產品即可。在選用時需要注意探針的材質以及針尖的直徑與形狀，探針材質不同，其阻抗也不相同；此外，探針尖磨損和污染也會對測試結果造成影響。在測試時，通過數字源表提
脈沖電流源測試旁路二極管熱性能方案2024/09/13
熱斑效應：太陽能電池一般是由多塊電池組件串聯或并聯起來。串聯支路中可能由于電池片內部缺陷或者外部遮擋，將被當作負載消耗其他有光照的太陽電池組件所產生的能量。被遮蔽的太陽電池組件此時會嚴重發熱而受損。旁路二極管：是指并聯于太陽能電池板正負極兩端之間的二極管，能夠有效地防止硅電池片因熱斑效應而燒毀，是光伏太陽能組件的重要組成部分，旁路二極管的質量直接影響著光伏電站的發電量及使用安全。熱性能測試旨在確定二極管的溫度特性以及其在連續工作條件下的最大結溫。測試時將組件加熱到之定溫度，并施加ISC或者1.2
SiC|IGBT功率器件應用發展及其測試解決方案2024/08/23
SiC/IGBT功率器件應用發展IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有高輸入阻抗、低導通壓降、高速開關特性和低導通狀態損耗等特點,在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。新能源汽車受800V驅動，以主逆變為代表的SiC滲透全面提速，貢獻蕞大下游市場并帶動充電樁、光儲及UPS市場逐步增長。碳化硅器件當前以電壓等級600-1700V，功率等級10kW-1MW的硅基IGBT為
基于數字源表的柔性材料形變測試方案2024/07/25
柔性材料使用過程中形態的反復變化將影響材料的電學性能及壽命。形變測試是柔性材料性能表征的重要手段。測試面臨的挑戰依賴手動測試，缺乏標準化的測試系統缺少軟件,難以實時監測I-V的變化曲線普賽斯提供標準化、高效率“動態’測試系統配備多種測試系統夾具可以模擬出拉、扭、彎、擇、卷等5種基本動作，11個基礎模擬測試動作;配套軟件，自動描繪材料的I-V的曲線。柔性材料形變測試SMU數字源表認準普賽斯儀表武漢普賽斯是國內醉早生產源表的廠家，產品系列豐富：產品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產品已經過了市場的考驗，市
數字源表測試導電水凝膠方案2024/07/22
導電水凝膠將親水性基質和導電介質有機結合起來,是一類兼具良好的可加工性、較高柔韌性和優異電化學性能的新型復合水凝膠，是未來柔性電子器件的理想材料。水凝膠電導率測試常用四探針法進行測試，優勢在于分離電流和電壓電極，消除布線及探針接觸電阻的阻抗影響。對于離子型導電水凝膠，普賽斯P系列源表可提供最窄200us脈沖測試電壓或電流，消除因直流電場弓|起的離子聚集問題的影響。普賽斯以自主研發為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率
SMU源表搭建MOS電容CV特性測試實驗平臺2024/05/29
本科生微電子器件及材料實驗目的通過實驗動手操作，加深對半導體物理理論知識的理解，掌握半導體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能，培養分析問題和解決問題的能力。本科生微電子器件及材料實驗目錄實驗一：金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性IV特性測試實驗實驗二：四探針法測量半導體電阻率測試實驗實驗三：MOS電容的CV特性測試實驗實驗四：半導體霍爾效應測試實驗實驗實驗五：激光二極管LD的LIV特性測試實驗實驗六：太陽能電池的特性表征實驗本科生微電子器件及材料實驗測試平臺優勢滿足本科生基礎教學實驗中
功率半導體器測試挑戰及應對方案詳解2024/05/10
功率半導體是電子產業鏈中最核心的一類器件，能夠實現電能轉換和電路控制作用。功率半導體包括功率半導體分立器件(含模塊)以及功率IC等。其中，功率半導體分立器件按照器件結構可分為二極管、晶閘管和晶體管等。以MOSFET、IGBT以及SiCMOSFET為代表的功率器件需求旺盛。根據性能不同，廣泛應用于汽車、充電樁、光伏發電、風力發電、消費電子、軌道交通、工業電機、儲能、航空航天和君工等眾多領域。隨著行業技術革新和新材料性能發展，功率半導體器件結構朝復雜化演進，功率半導體的村底材料朝大尺寸和新材料方向發
如何用數字源表簡化apd的暗電流測試2024/03/15
01APD工作原理APD雪崩光電二極管的工作原理是基于光電效應和雪崩效應，當光子被吸收時，會產生電子空穴對，空穴向P區移動，電子向N區移動，由于電場的作用，電子與空穴相遇時會產生二次電子，形成雪崩效應，從而使電荷載流子數目增加，電流增大，實現光電轉換。圖：APD工作原理02APD測試挑戰在APD的光電特性中，暗電流是一個重要的參數。暗電流是指在沒有光照射的情況下，APD中由于熱激發等原因導致的電子漂移和電子-空穴對產生而產生的電流，暗電流測試的準確性對于評估APD的性能和穩定性非常重要。在進行A
數字源表iv掃描測試納米材料電性能方案2024/03/08
01/納米材料電學性能的表征和分析/與傳統的材料相比，納米材料具有原子級厚度、表面平整無懸空鍵、載流子遷移率好等優點，其導電性能很大程度依賴于材料本身的帶隙、摻雜濃度和載流子遷移率。同樣的摻雜濃度下，遷移率越大，電阻率越小，導電率就越高。在納米材料/器件電學性能的表征和分析中，通常采用霍爾效應及電阻率測試法。霍爾效應測試當電流垂直于外磁場通過納米材料時，載流子發生偏轉，垂直于電流和磁場的方向會產生附加電場，從而在半導體兩端產生電勢差，這一現象稱為霍爾效應。霍爾效應測試常用的測試方法是范德堡法，并
如何攻克鈣鈦礦太陽能電池電性能測試技術壁壘？2024/01/23
1前言“碳達峰、碳中和”背景下，發展新能源成為降低碳排放的第一驅動力。以太陽能為代表的清潔能源在市場上的占比大幅提升，與之對應的太陽能電池同樣發展迅速。太陽能電池是一種吸收光能產生電能的半導體光電二極管，硅基電池作為第一代太陽能電池占據著市場主導地位；第二代太陽能電池為多元化薄膜電池，優點在于轉化效率高、質量小、厚度薄，但其研究原料的環境污染效應頗具爭議；如今，以燃料敏化、量子點、鈣鈦礦為代表的第三代太陽能電池逐漸進入人們視野。2光伏市場廣闊鈣鈦礦太陽能電池機遇蘊于其中目前，全球已有60多個國家
半導體電學特性測試系統—IV+CV測試儀2023/12/08
半導體電學特性測試系統—IV+CV測試儀概述：SPA-6100半導體參數分析儀是武漢普賽斯自主研發、精益打造的一款半導體電學特性測試系統，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優勢。產品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料研究、半導體芯片器件設計以及先進工藝的開發，具有桌越的測量效率與可靠性。基于模塊化的體系結構設計，SPA-6100半導體參數分析儀可以幫助用戶根據測試需要，靈活選配測量單元進行升級。產品支持Z
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