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上海伯東企業(yè)有限公司
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Hakuto 全自動離子刻蝕機(jī) MEL3100 用于刻蝕薄膜磁盤2020/11/25
某薄膜磁盤制造采用Hakuto全自動離子刻蝕機(jī)MEL3100用于刻蝕薄膜磁盤,去除濺射鍍制磁盤薄膜的污染物和提高薄膜的均勻性.Hakuto全自動離子刻蝕機(jī)MEL3100技術(shù)參數(shù):ModelMEL3100MainbodyWafersize3"～6"PowerSupplyAC200V3ph40AWaferperbatch1wafer*twolinesCassetteNo.25wafersCoolingWater15(l/min)Q'ty1pc.℃Throughput10(wafer/hr)*1CDA
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 用于刻蝕硅微機(jī)械陀螺芯片2020/11/24
Hakuto離子蝕刻機(jī)7.5IBE用于刻蝕硅微機(jī)械陀螺芯片某芯片實驗室為了解決芯片濕法刻蝕難以解決的橫向腐蝕問題,引進(jìn)伯東Hakuto離子蝕刻機(jī)7.5IBE用于刻蝕硅微機(jī)械陀螺芯片.Hakuto離子蝕刻機(jī)7.5IBE技術(shù)規(guī)格:真空腔1set,主體不銹鋼,水冷基片尺寸1set,4”/6”?Stage,直接冷卻,離子源?8cm考夫曼離子源KDC75離子束入射角0Degree～±90Degree極限真空≦1x10-4Pa刻蝕性能一致性:≤±5%across4”該實驗室采用的Hakuto離子刻蝕機(jī)7.5
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 刻蝕碳化硅微光學(xué)元件2020/11/23
某光學(xué)元件制造商為了優(yōu)化碳化硅微光學(xué)元件,降低碳化硅微光學(xué)元件表面粗糙度,采用Hakuto離子蝕刻機(jī)10IBE對其進(jìn)行優(yōu)化.Hakuto離子蝕刻機(jī)10IBE技術(shù)參數(shù):基板尺寸樣品臺直接冷卻（水冷）0-90度旋轉(zhuǎn)離子源16cm考夫曼離子源均勻性±5%for4”Ф硅片刻蝕率20nm/min溫度該制造商采用的Hakuto離子刻蝕機(jī)10IBE的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的KRI考夫曼公司的考夫曼離子源KDC160伯東美國KRI考夫曼離子源KDC160技術(shù)參數(shù)：離子源型號離子源KDC
伯東離子刻蝕機(jī) IBE 用于金銅鎳銀鉑等材料微米級刻蝕2020/11/19
Hakuto日本原裝設(shè)計制造離子刻蝕機(jī)IBE,提供微米級刻蝕,滿足所有材料的刻蝕,即使對磁性材料,金銅鎳銀鉑等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料,這些難刻蝕的材料也能進(jìn)行微米級刻蝕.伯東離子刻蝕機(jī)IBE組成主要包含真空刻蝕腔體,樣品臺,離子源等.其配置如下：一.真空腔體伯東離子刻蝕機(jī)IBE的真空刻蝕腔體配置的是德國Pfeiffer分子泵.Pfeiffer分子泵抽速范圍10至2700L/S,轉(zhuǎn)速高90,000rpm,極限真空1E-11mbar,能滿足各種各樣真空度要求.伯東是PfeifferVacuum德國普發(fā)
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源在 PCB 鉆頭銑刀上的應(yīng)用2020/11/13
電子工業(yè)的飛速發(fā)展對線路板制造業(yè)的要求越來越高,線路板層數(shù)越來越高,孔密越來越大并向微孔化不斷發(fā)展,某國內(nèi)制造商為了銑刀進(jìn)行銑邊及成型加工時,減少產(chǎn)品的披鋒、毛刺及銑刀斷刀,采用伯東KRI考夫曼聚焦型射頻離子源RFICP380輔助鉆頭銑刀上鍍膜.該制造商的真空離子鍍膜技術(shù),利用KRI考夫曼聚焦型射頻離子源RFICP380轟擊靶材形成離子,并使離子在強磁場的驅(qū)動下吸附于鉆頭或鑼刀上形成鍍層,制備出鍍膜鉆頭及鍍膜銑刀.用于濺射的KRI聚焦型射頻離子源RFICP380技術(shù)參數(shù):射頻離子源型號RFICP
伯東 KRI 離子源 RFICP220 用于鐘表行業(yè)鍍制納米薄膜2020/11/12
現(xiàn)代鐘表產(chǎn)品愈加青睞新材質(zhì)的應(yīng)用與設(shè)計,這也是現(xiàn)代鐘表產(chǎn)品順應(yīng)市場需求和客戶體驗的直觀表現(xiàn),不銹鋼表面納米薄膜涂層具有低摩擦,高耐磨,高耐蝕和高生物相容性等技術(shù)特點,因此在國外中手表產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用.某國內(nèi)手表代工廠商采用伯東KRI考夫曼射頻離子源RFICP220用于輔助鍍制手表的不銹鋼表面納米薄膜涂層.伯東KRI考夫曼平行型射頻離子源RFICP220技術(shù)參數(shù):離子源型號RFICP220DischargeRFICP射頻離子束流800mA離子動能100-1200V柵極直徑20cmΦ離子束平行流量10
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源用于純鈦表面氨基化改性的研究2020/11/11
某機(jī)構(gòu)為了研究離子源處理純鈦材料表面的時間長短對純鈦材料表面生物活性及親水性的影響,采用伯東KRI考夫曼射頻離子源RFICP380用于純鈦表面氨基化改性的研究.試驗樣品:8mmX8mm的厚度1mmdeTA2型純鈦線試驗流量簡介:通過對試驗樣品進(jìn)行刻蝕時間長短不同形成不同的清潔表面,然后通過儀器分析其親水性用于刻蝕的KRI考夫曼聚焦型射頻離子源RFICP380技術(shù)參數(shù):射頻離子源型號RFICP380Discharge陽極射頻RFICP離子束流1500mA離子動能100-1200V柵極直徑30cmΦ
KRI 考夫曼射頻離子源 用于制備超薄 TEM 樣品2020/10/26
普通傳統(tǒng)的制樣減薄方法存在遠(yuǎn)端的薄區(qū)極易彎曲和薄區(qū)厚度不均勻的問題,因此某機(jī)構(gòu)采用伯東KRI考夫曼聚焦型射頻離子源RFICP380通過交叉減薄的方法制備超薄TEM樣品.交叉減薄交叉減薄的過程利用TEM樣品臺的旋轉(zhuǎn)來完成,如下圖.TEM樣品臺模型圖伯東KRI考夫曼聚焦型射頻離子源RFICP380技術(shù)參數(shù):射頻離子源型號RFICP380Discharge陽極射頻RFICP離子束流1500mA離子動能100-1200V柵極直徑30cmΦ離子束聚焦流量15-50sccm通氣Ar,Kr,Xe,O2,N2,
伯東 KRI 考夫曼霍爾離子源清洗 PPS/ PEEK 襯底面2020/10/23
為了獲得具備電磁屏蔽能力的PPS,PEEK等高分子輕量化材料,但PPS,PEEK導(dǎo)電性能差、無電磁波屏蔽能力或者達(dá)不到理想的屏蔽效果,因此,某機(jī)構(gòu)采用磁控濺射鍍膜工藝對PPS、PEEK等材料結(jié)構(gòu)件產(chǎn)品表面進(jìn)行金屬化處理.其工藝主要分為前處理、鍍膜、后處理等三個環(huán)節(jié).前處理需要對PPS/PEEK待鍍襯底面進(jìn)行Hall離子源清洗,該機(jī)構(gòu)采用伯東KRI考夫曼霍爾離子源eh3000對PPS/PEEK襯底面進(jìn)行清洗.KRI考夫曼霍爾離子源GridlesseH3000主要技術(shù)參數(shù):離子源型號霍爾離子源eH3
KRI 射頻離子源用于透明導(dǎo)電薄膜及性能研究試驗2020/10/22
某實驗室運用直流磁控濺射法,采用ZAO陶瓷靶材,結(jié)合正交試驗表通過改變制備工藝中的基片溫度、濺射功率、氧流量百分比等參數(shù),在普通玻璃襯底上制備得到ZnO:Al（ZAO）透明導(dǎo)電薄膜.試驗設(shè)備:伯東KRI聚焦射頻離子源RFICP220進(jìn)行濺射,選用ZAO陶瓷靶,基片為普通玻璃,普發(fā)Pfeiffer旋片泵Duo3.工藝要求:靶與基片距離為5cm,濺射時間為30min伯東KRI聚焦型射頻離子源RFICP220技術(shù)參數(shù):離子源型號RFICP220DischargeRFICP射頻離子束流800mA離子動能
伯東 KRI 聚焦型射頻離子源輔助磁控濺射沉積氧化銦錫 ITO 薄膜2020/10/21
伯東KRI聚焦型射頻離子源輔助磁控濺射沉積氧化銦錫ITO薄膜氧化銦錫ITO薄膜具有高電導(dǎo)率和可見光透過率、紫外光區(qū)強吸收、紅外區(qū)域高反射等特性,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于太陽能電池、等離子體液晶顯示器以及平板顯示器等領(lǐng)域.某光學(xué)薄膜制造商用伯東KRI射頻離子源RFICP220輔助磁控濺射沉積氧化銦錫ITO薄膜.在其磁控濺射沉積工藝中,沉積薄膜前首先對基片進(jìn)行離子轟擊處理去除基片表面吸附氣體和雜質(zhì),然后離子源和磁控濺射靶同時工作沉積薄膜.其磁控濺射沉積系統(tǒng)工作示意圖如下：伯東KRI聚焦型射頻離子源RFICP2
KRI 射頻離子源和 分子泵組用于濺射沉積 Cu 薄膜2020/10/20
KRI射頻離子源RFICP380和分子泵組用于濺射沉積Cu薄膜薄膜表面粗糙度與機(jī)械零件的配合性質(zhì)、耐磨性、疲勞強度、接觸剛度、振動和噪聲等有重要關(guān)系,直接決定機(jī)械產(chǎn)品的使用壽命和可靠性.因此,某薄膜制造商為了獲得優(yōu)質(zhì)的Cu薄膜,采用伯東KRI射頻離子源RFICP380、霍爾離子源eH2000和分子泵組Hicube30Eco輔助濺射沉積Cu薄膜.該制造商的鍍膜機(jī)設(shè)備采用雙離子束濺射沉積系統(tǒng),該設(shè)備的本底真空為5x10-5Pa,濺射氣體使用Ar+粒子,靶材成分為99.99%Cu,襯底為硅片.其雙離子
KRI 離子源用于離子束濺射鍍制 Ge 納米薄膜的研究2020/10/19
KRI離子源用于離子束濺射鍍制Ge納米薄膜的研究在硅襯底上生長Ge量子點唄認(rèn)為是可能實現(xiàn)Si基發(fā)光的重要途徑,對Si基光電子、微電子或單電子器件有重要影響.某研究所采用伯東KRI離子源用于離子束濺射鍍制Ge納米薄膜的研究.該研究采用的是FJL560III型超高真空多靶磁控與離子束聯(lián)合濺射設(shè)備的離子束濺射室內(nèi)制備樣品,生長室的本底真空度低于4x10-4Pa.其系統(tǒng)工作示意圖如下：該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、離子源、濺射靶、基片臺等部分組成.用于濺射的離子源采用伯東的KRI聚焦型射
伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取高反射吸收Ta2O5薄膜2020/10/16
伯東KRI雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取高反射吸收Ta2O5薄膜為了獲取高性能紫外激光薄膜元件,急需研制紫外高吸收薄膜,某研究所采用伯東KRI雙離子源輔助離子束濺射沉積技術(shù)鍍制Ta2O5薄膜進(jìn)行研究.其系統(tǒng)工作示意圖如下：該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片臺等部分組成.其中雙離子源中的一個離子源適用于濺射靶材,另個離子源是用于基材的預(yù)清洗.用于濺射的離子源采用伯東的KRI聚焦型射頻離子源380,其參數(shù)如下:伯東KRI聚焦型射頻離子源RFICP380技術(shù)參數(shù)：射頻
KRI 射頻離子源 RFICP 380 輔助離子束濺射鍍SiO_2薄膜2020/10/15
二氧化硅(SiO_2)薄膜具有硬度高、耐磨性好、絕緣性好等優(yōu)點常作為絕緣層材料在薄膜傳感器生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用.某光學(xué)薄膜制造商為了獲得高品質(zhì)的SiO_2薄膜引進(jìn)伯東KRI聚焦型射頻離子源RFICP380輔助離子束濺射鍍制SiO_2薄膜.該制造商的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片臺、真空氣路系統(tǒng)以及控制系統(tǒng)等部分組成.離子源濺射離子源采用進(jìn)口的KRI聚焦型射頻離子源RFICP380,其參數(shù)如下:伯東KRI聚焦型射頻離子源RFICP380技術(shù)參數(shù)：射頻離子源型號RFICP3
KRI 聚焦離子源 RFICP 220 輔助磁控濺射鍍制 3D 膜2020/10/14
某國內(nèi)3D玻璃制造商采用伯東KRI聚焦射頻離子源RFICP220輔助磁控濺射鍍制3D玻璃膜,以獲取高品質(zhì)3D玻璃膜.其磁控濺射鍍膜工藝流程如下圖:磁控濺射鍍膜原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向基片.氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜.伯東KRI聚焦射頻離子源RFICP220技術(shù)參數(shù):離子源型號RFICP220DischargeRFICP射頻離子束流800mA離子動能100-
伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 輔助鍍制 HfO2 薄膜2020/10/12
傳統(tǒng)直接蒸發(fā)HfO2塊材料,容易產(chǎn)生節(jié)瘤缺陷,吸收很大,限制了薄膜的激光損傷閾值,因此,為了獲取高質(zhì)量的HfO2薄膜,某機(jī)構(gòu)采用KRI考夫曼離子源KDC160輔助鍍制HfO2薄膜.客戶的樣品基底材料為K9玻璃,靶材為HfO2塊材料,運行的離子源偏壓為90V.伯東美國KRI考夫曼離子源KDC160技術(shù)參數(shù):離子源型號離子源KDC160DischargeDC熱離子離子束流650mA離子動能100-1200V柵極直徑16cmΦ離子束聚焦,平行,散射流量2-30sccm通氣Ar,Kr,Xe,O2,N2,
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